三星HBM5将引入2nm工艺

据韩国媒体BusinessKorea报道，三星电子近日确认已启动第八代高带宽内存HBM5的研发工作，并计划在底层芯片（Base Die）上首次采用2nm制程工艺，打破行业传统。
 

在美国加州近期举行的一场技术沟通会上，三星电子内存业务相关负责人披露了公司在AI存储领域的最新路线图：

HBM5（第八代）：其底层芯片将由三星代工部门采用2nm工艺制造。相较于HBM4普遍使用的4nm节点，2nm工艺可显著提升能效比和热管理能力，以更好应对AI算力提升带来的散热挑战。核心存储芯片（Core Die）则继续沿用1c（第六代10nm级）工艺。
 

HBM5E（第九代）：三星计划采取更积极的策略，核心芯片将提前引入1d（第七代10nm级）DRAM工艺。这意味着三星将在短时间内完成从1c到1d的跨越，以追求更高的数据传输密度和存储性能。

本文关键词：HBM

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